現在のエレクトロニクス材料において、透明導電膜は欠かすことのできない電子材料の一つである。本実験では、ＩＴＯ代替材料として期待されている酸化スズ透明導電膜を噴霧法により作製するとともに、その電気・光学特性の解析により、透明導電膜の基礎を理解する。

噴霧法による金属酸化物透明導電膜の作製

　近年、製造工程が簡単で環境にやさしい原料を用いたフォトダイオードの開発が望まれている。本実験では、金属酸化物半導体を利用したCuO/TiO₂:Al/SnO₂の積層構造による疑似p-i-n型フォトダイオードを作製する。さらに、紫外光に対する応答を測定し、ダイオード特性の基礎を理解する。

pin型フォトダイオードのセンシング特性の評価